4大中心制品：從 “發(fā)熱” 到 “承載”，覆蓋真空爐全流程
    真空爐用石墨制品不是單一產(chǎn)品，而是形成 “發(fā)熱 - 承載 - 導(dǎo)流 - 密封” 的產(chǎn)品矩陣：
石墨發(fā)熱體：真空爐的 “加熱中心”
    分為棒狀、板狀、管狀三種，采用等靜壓成型的高密度石墨（密度≥1.88g/cm3）制成，外表粗糙度 Ra≤0.8μm（削減尖端放電）。在半導(dǎo)體擴散爐中，石墨發(fā)熱體需精準控制溫度梯度（±1℃/cm），保證硅片均勻摻雜；在高溫?zé)Y(jié)爐中，管狀發(fā)熱體能形成環(huán)形加熱區(qū)，讓大型工件（如航空葉片）受熱一致。某12英寸晶圓廠的石墨發(fā)熱體，使用壽命達 500 次（每次8小時），是金屬發(fā)熱體的3倍。
石墨載具：工件的 “高溫托盤”
    包含石墨舟、石墨板、石墨坩堝等，用于承載工件。中心要求是：
    平面度≤0.02mm/m（避免工件傾斜導(dǎo)致受熱不均）；
    外表經(jīng)氮化硼（BN）涂層處理（防粘工件，如防止陶瓷坯體燒結(jié)時粘連）。
    在光伏硅片退火工藝中，石墨舟的槽位公役需控制在±0.01mm，保證 156mm硅片的受熱面積偏差＜1%，轉(zhuǎn)化功率動搖≤0.2%。
石墨導(dǎo)流件：氣體與電流的 “通道”
    在真空爐的氣路和電路系統(tǒng)中，石墨導(dǎo)流件（如氣體分布板、電極導(dǎo)流柱）需同時滿足：
    氣體導(dǎo)流件：通氣孔直徑誤差≤0.05mm，保證氣流均勻（如CVD 涂層工藝中，氣體分布不均會導(dǎo)致膜厚偏差）；
    電極導(dǎo)流柱：耐高溫（1500℃下不氧化）。某鍍膜廠的石墨導(dǎo)流板，讓涂層均勻度從85%提升至98%。
石墨密封件：真空環(huán)境的 “屏障”
    用于爐門、法蘭等部位的密封，采用柔性石墨（添加3%橡膠增韌），壓縮率≥30%，回彈率≥15%，在1000℃下仍能保持杰出密封性（漏率≤1×10Pam/s），比金屬密封墊的適用溫度規(guī)模寬 500℃。